国内第三代功率半导体（SiC碳化硅+GaN氮化镓）全产业链企业

按上游材料衬底→外延片→中游器件/IDM制造→下游功率模块→配套设备分类整理，覆盖新能源车、AI数据中心、储能、电网赛道，对应韩国主攻的下一代功率半导体赛道。

一、上游 SiC衬底（产业链最高壁垒）

1. 天岳先进（688234）
全球8英寸导电型SiC衬底龙头，半绝缘衬底全球前三；供货斯达、三安、比亚迪半导体，车规功率器件核心原料供应商。
​
2. 天科合达（未上市）
国内导电型SiC衬底先驱，6英寸大规模量产，8英寸小批量交付，长期配套车企与功率器件厂。
​
3. 露笑科技（002617）
6英寸导电衬底规模化量产，与比亚迪签订长期供货协议，合肥基地持续扩产。
​
4. 东尼电子（603595）
SiC衬底+外延双线布局，获弗迪半导体定点订单。

二、SiC外延片（衬底后核心工艺）

1. 瀚天天成：全球SiC外延头部，6/8英寸量产，国内绝大多数SiC器件厂供应商。
​
2. 天域半导体：国内外延第一股，车规级外延片稳定供货斯达、扬杰、比亚迪。

三、中游 IDM全流程厂商（衬底-外延-芯片-封装一体化，对标韩国釜山/浦项晶圆园区）

1. 三安光电（600703）

国内唯一同时打通SiC+GaN全产业链IDM企业；湖南8英寸SiC产线量产，射频+功率双线，配套新能源汽车、AI服务器电源、5G基站，与意法半导体合资扩产车规产线。

2. 士兰微（600460）

功率IDM龙头，厦门8英寸SiC产线投产；硅基GaN快充芯片国内市占超50%，SiC主驱模块批量配套小鹏、蔚来等车企。

3. 华润微（688396）

国产功率IDM标杆，SiC MOS、二极管系列化量产；布局8英寸硅基GaN，覆盖光伏、储能、工业、AI电源场景 。

4. 闻泰科技（600745，安世半导体）

海外成熟IDM平台，1200V车规SiC MOS、高压GaN器件批量出货，客户覆盖特斯拉、博世、国内头部算力厂商 。

四、SiC功率器件/车载模块龙头（新能源车、AI数据中心核心）

1. 斯达半导（603290）
国内车规SiC模块绝对龙头，800V高压平台主力供应商，蔚来、理想、比亚迪逆变器核心供货，适配车载与储能大功率场景。
​
2. 扬杰科技（300373）
分立器件龙头，SiC二极管、MOS、车规模块全线量产，光伏、充电桩、工控放量明显。
​
3. 宏微科技（688711）
IGBT+SiC双线并行，高压SiC器件适配AI服务器、储能变流器，国产高压功率器件核心标的。
​
4. 比亚迪半导体（未上市）
整车自研核心，800V平台SiC主驱模块自产自用，同步外供行业客户，自建完整SiC产线。
​
5. 东微半导（688261）
高压MOS龙头，自研SiC MOSFET，主打AI服务器电源、车载OBC、储能逆变器。

五、GaN氮化镓专项龙头（快充、AI算力电源、射频）

1. 英诺赛科（shturl.c）
全球最大8英寸硅基GaN晶圆厂，全球GaN功率器件出货第一；产品用于手机快充、AI数据中心电源、车载电源、储能双向变流器。
​
2. 国博电子（688375）
射频GaN龙头，5G基站、卫星通信功放芯片主力，军工与通信场景优势显著。

六、上游配套设备（SiC产线核心装备，韩国同步加码晶圆园区设备升级）

1. 晶升股份（688478）：SiC长晶炉专精龙头，国内衬底企业主流设备供应商。
​
2. 晶盛机电（300316）：SiC长晶、切割、抛光一体化设备，12英寸SiC设备研发落地。
​
3. 北方华创、高测股份：刻蚀、切割、外延MOCVD配套设备国产化。

七、产业对比小结（对标韩国5000亿韩元SiC/GaN项目）

1. 韩国优势：存储芯片产业基础、政府大额专项补贴、政企协同加速车规SiC落地；
​
2. 国内优势：全产业链自主可控，从长晶设备、衬底、外延、芯片到车载/算力模块完整覆盖，下游新能源车、光伏、AI数据中心内需市场更大，多家企业同步推进6/8英寸产线扩产；
​
3. 竞争重合赛道：SiC车载主驱、数据中心高压功率电源、储能变流器，中韩将形成直接全球竞争。