希望是真的。

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9月10日消息，据WIRED报道，美国加州芯片初创公司Kepler Computing于近日结束长达七年的隐身模式，宣布开发出基于3D堆叠和专有铁电材料的新型内存架构，声称可在不依赖极紫外光刻（EUV）的前提下提升高带宽内存（HBM）和片上缓存（SRAM）密度，从而缓解全球HBM供应瓶颈。

该公司过去七年累计融资4.68亿美元（约合人民币31.72亿元），投资方包括GlobalFoundries、英特尔Capital、AMD Ventures、Baillie Gifford及盖茨旗下Gates Frontier；今年7月美国商务部承诺为其提供最高2.45亿美元（约合人民币16.60亿元），用于支持其在美开发由创新3D和铁电技术驱动的高性能AI内存。

Kepler的核心主张是，无需新建耗资200亿至400亿美元（约合人民币1355.38亿至2710.76亿元）的内存晶圆厂，而是通过新材料和3D制造技术改造现有产线即可增加HBM供给。该公司已在约2000片晶圆上完成技术验证，计划今年晚些时候出货首批HBM样品，明年在新加坡开始扩产，2028年启动美国本土生产。