聊一下二手拆机存储芯片的问题，圈子里这个也算是公开的秘密了。不谈别的，只聊一下技术。

先说DRAM。正常使用下，DRAM的读写操作本身几乎不消耗寿命；失效大多来自长期高温、电压波动、静电损伤。二手DRAM剩余寿命相对可观；风险更多来自拆机、重新植球带来的虚焊，而非芯片本身的磨损。

再说说NAND。NAND存在PE（Program / Erase）擦写循环上限，每一次写入删除都会损耗介质。TLC原厂典型约3000次PE，QLC约1000次PE。二手颗粒已经消耗一部分PE；同时还有电荷保持能力衰减。

所以说二手NAND影响远大于二手DRAM。