国产芯片迎重大利好！三维片上电容取得关键突破

国产芯片又传来一个好消息！

湖北江城实验室，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法，稳压性能较传统MLCC提升百倍。该技术可直接适配AI/GPU芯片、高性能处理器，目前已进入工艺流片及小批量试产阶段。 ​