国产存储大突破！长鑫科技第五代DRAM平台（G5）正式量产，LPDDR5X大容量内存来了！⚡工艺达11.95nm半间距，电容深宽比45:1，HKMG工艺加持，核心功能区仅6762nm——多项指标比肩国际顶尖水平！更牛的是，他们用数字孪生系统加速研发，实现设计→制造全链路虚拟迭代。中国芯，真的在硬刚高端存储天花板！#长鑫存储# #国产芯片突破# #百味数据#
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