【#长鑫存储实现微缩工艺突破# 】#长鑫第五代技术平台正式量产#

9 月 20 日，长鑫存储在世界制造业大会上宣布，第五代 DRAM 技术平台（G5 平台）正式量产，同时展出了基于该平台研发的大容量 LPDDR5X 芯片。

这套 G5 平台依靠四重曝光技术实现工艺微缩，内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米。大会现场亮相两款 LPDDR5X 量产芯片，单颗容量 24Gb，相比上代提升 50%，有两种封装规格，能够适配中高端手机、便携消费电子产品，现已进入规模量产阶段。

国产内存技术稳步向前，你期待搭载这款内存的新机吗？