磷化铟产业链核心要点速览（2026.4.12）

磷化铟（InP）衬底是800G/1.6T光模块CW激光器芯片核心材料，当前金属铟+衬底同步涨价约40%，已传导至下游光芯片（70mW CW芯片从3.5美元涨至3.8美元）。

一、供给格局（全球总产能约100万片/年）

• 国内：北京通美（35万片）、云南锗业（12-13万片）、先导薄膜（不足10万片）

• 海外：日本SUMCO（25万片）、美国AXT（21万片）

• 特点：海外扩产保守；国内新产能2027年大规模释放，扩产周期约1年。

二、需求与供需

• 驱动：AI数据中心占需求80%+，800G/1.6T光模块需求翻倍

• 缺口：物理产能硬约束，非短期库存波动

• 周期：紧张延续至2027年，2028年有望缓解。

三、光芯片关键进展

• 70mW CW芯片4月初通过大客户认证，年需求3000-4000万颗

• 瓶颈：MOCVD设备不足，7月新设备到位才实质性扩产

• 一季度产量超200万颗，暂未确认收入。

四、国产与成本

• 国产衬底良率较进口低约10个百分点，短期仍依赖进口

• 企业锁价至2025年10月水平，成本优势明显；战略库存约10万片，耗尽后将按市价采购。

五、价格与风险

• 价格：2026年维持高位，2027年下半年或小幅松动

• 风险：芯片良率/爬产不及预期、MOCVD交期延迟、锁价库存耗尽后毛利率承压、大功率芯片良率突破慢。