三星电子计划明年上半年开始量产10nm级第7代“1d DRAM” [吃瓜]

三星电子下一代DRAM量产计划正在逐步成形。该公司目前正与多家合作伙伴共同开发用于第7代10nm级（1d）DRAM量产的设备，据悉最早目标是在明年第二季度引入。

据业内人士17日消息，三星电子计划最早于明年上半年启动1d DRAM的初期量产准备工作。

1d是指电路线宽在10至11纳米（nm）级别的DRAM。目前商用化的最新一代第6代10nm级（1c）DRAM，其线宽被评估为约11至12纳米。线宽越窄，DRAM的性能和功耗效率越高。

三星电子已通过内部评估推进量产工作，包括生产早期1d DRAM样品。一些人曾预计三星可能最早今年启动1d DRAM量产，但鉴于1d DRAM制造所需的关键设备仍处于开发阶段，因此存在不可行性的论点。

三星电子目前正与合作伙伴讨论的1d DRAM量产设备引入目标时间据称是明年第二季度。考虑到实际量产准备所需时间，三星最早启动1d DRAM初期量产的时间点被评估为最早也要到明年年底。

一位半导体行业人士解释称：“三星电子正积极与主要合作伙伴推进研发，以稳定1d DRAM的良率和性能”，并补充道：“时间表可能会有所变动，但目标是在明年第二或第三季度引入量产设备。”

另一位人士表示：“三星电子的1d DRAM是开发进度相对先进的工艺，我们预计量产可能在明年启动”，并补充道：“该计划预计将在今年年底前后敲定。”

三星电子的1d DRAM预计将在公司自身的AI内存业务中发挥非常重要的作用。特别是，它将被用作预计于2029年商用的第9代高带宽内存（HBM5E）的核心芯片。