三星电子，实现了业界最小的3D堆叠晶体管。

在最近于美国举行的VLSI2026上，该公司展示了其在实现栅极间距为42nm的3D堆叠场效应晶体管(3D堆叠FET)方面取得的成果。

该技术将晶体管垂直堆叠而非放置在平面上，预计将应用于系统半导体领域。 ​