【#Tower Semiconductor拟砸40亿美元扩建日本工厂，打造AI光通讯芯片基地# 】

高塔半导体（Tower Semiconductor）近期表示，将把日本打造成大型光通讯连接中心，投资约 40 亿美元扩充硅光子、硅锗与先进封装产能，以回应 AI 基础设施快速增长的需求。
高塔表示，这项投资将分成两阶段。第一阶段是将新潟县荒井闲置的 Fab 6 转成 300mm 制程的硅光子与先进光学封装厂，同时提升富山县鱼津 Fab 7 的 SiGe（硅锗） 与 SiPho（硅光子产能。高塔预估，此阶段可在 2027 年第四季达全面量产准备。http://t.cn/AXW4YPQh