长鑫G5 DRAM技术平台正式量产，是国产存储工艺一个标志性节点。

依靠四重曝光方案，把内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，在不依赖EUV的前提下，把制程拉近全球第一梯队水平。存储电容深宽比来到45:1，配合HKMG高介电金属栅工艺，同等晶圆产出相比上一代提升50%以上，密度、成本同时获得优化。

基于这套平台的24Gb LPDDR5X已经规模落地，面向旗舰手机、便携设备供货，国产手机旗舰有了更高规格的本土内存选择。

DRAM一直是芯片领域最难啃的硬骨头，不止是光刻，材料、电容、工艺整合每一环都壁垒极高。过去国内更多追赶成熟存量市场，而G5代表我们开始切入高端内存的主流竞赛。

当然也要客观看待，高端存储的供应链打磨、良率爬坡、全品类铺开还需要时间。但从跟跑到参与第一梯队竞争，长鑫第五代平台，实实在在迈出关键一步。

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