聚焦硬核突破!西电郝跃、张进成教授团队,以离子注入诱导成核技术攻克半导体材料难题,氮化铝成核层实现质的飞跃,散热与功率性能大幅跃升,超国际纪录30%-40%,破解卡脖子难题,彰显中国科研硬实力!#我国攻克半导体材料世界难题#
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聚焦硬核突破!西电郝跃、张进成教授团队,以离子注入诱导成核技术攻克半导体材料难题,氮化铝成核层实现质的飞跃,散热与功率性能大幅跃升,超国际纪录30%-40%,破解卡脖子难题,彰显中国科研硬实力!#我国攻克半导体材料世界难题#