新突破!
我国首台串列型高能氢离子注入机成功出束,这一设备与光刻机、刻蚀机并称芯片制造“四大核心装备”,标志着我国在功率半导体制造关键设备领域实现自主可控,突破了海外技术封锁,将加速半导体设备国产替代进程,直接利好离子注入机产业链、功率半导体及相关配套材料企业,短期事件催化下相关标的关注度将显著提升。
发布于 广东
新突破!
我国首台串列型高能氢离子注入机成功出束,这一设备与光刻机、刻蚀机并称芯片制造“四大核心装备”,标志着我国在功率半导体制造关键设备领域实现自主可控,突破了海外技术封锁,将加速半导体设备国产替代进程,直接利好离子注入机产业链、功率半导体及相关配套材料企业,短期事件催化下相关标的关注度将显著提升。